Die Toshiba Corporation und die SanDisk Corporation bauen gemeinsam eine neue Produktionsanlage für 300-Millimeter (mm) Wafer auf dem Toshiba-Werksgelände in Yokkaichi, um der stetig wachsenden Nachfrage nach NAND-Flashspeichermedien nachkommen zu können.
Diese Vereinbarung, mit der Toshiba und SanDisk ihre Marktführerschaft in diesem rasch wachsenden Markt behaupten wollen, verdeutlicht, welchen hohen Stellenwert NAND-Flashspeichermedien im Mobile- und Digitalsegment einnehmen.
Der Bau der neuen Anlage soll im August 2006 beginnen; für Ende 2007 ist die Inbetriebnahme geplant. Toshiba wird die Kosten für das Gebäude übernehmen, während die Kosten für die Produktionssysteme gemeinsam von Toshiba und SanDisk getragen werden. Die neue Anlage, Fab 4 genannt, wird in etwa so groß sein wie die Fab 3 300-mm Wafer-Anlage, die bereits in Yokkaichi in Betrieb ist.
Die hochmoderne 300-mm Wafer Fab3-Anlage in Yokkaichi wird bereits seit Sommer 2005 genutzt. Beide Unternehmen haben die Kapazität der Anlage proaktiv gesteigert, um so die Nachfrage erfüllen zu können. Mit dieser Bekanntgabe verdeutlichen die Unternehmen, dass sie den Bedarf nach einer neuen Anlage zusätzlich zur Erweiterung der Fab 3 erkannt haben, um so der Nachfrage nach NAND-Flashspeicherprodukten bis 2008 und in den darauf folgenden Jahren nachkommen zu können.
