Toshiba und SanDisk erweitern Produktion von NAND-Flash-SpeicherToshiba Corporation und SanDisk Corporation haben die Absicht zum Bau einer neuen 300-mm-Wafer-Fabrik auf Toshibas Yokkaichi-Werksgelände bekannt gegeben, um der wachsenden Nachfrage nach NAND-Flash-Speicherchips zu begegnen.
Nichtflüchtiger NAND-Flashspeicher ist das bevorzugte Speichermedium in diversen Mobilgeräten wie zum Beispiel digitalen Fotokameras und Multimedia-Mobiltelefonen. Toshiba ist der Erfinder des NAND-Flashspeichers und nimmt auch jetzt eine technologisch und umsatzbezogen führende Stellung am Markt ein. Diese Position soll durch die strategische Partnerschaft mit SanDisk USA, einem führenden Hersteller von Speicherkarten mit immenser Expertise im Bereich von Flashspeichern mit hoher Speicherdichte und MLC (Multilevelcell)-NAND-Speicherbausteinen.
Die Gesamtinvestition in die neue Fabrik (Fab 3) auf Toshibas Yokkaichi-Werksgelände wird zur Zeit auf 200 Milliarden Yen (entsprechend ca. 1,9 Milliarden US-Dollar zum momentanen Wechselkurs) für den Zeitraum bis zum Ende des Geschäftsjahres 2005 geschaetzt. Toshiba trägt die Kosten für den Bau der Werkshalle, und Toshiba und SanDisk übernehmen gemeinsam die Kosten fuer das Fertigungsequipment . Die fertige Fabrik wird von FlashVision, einem Jointventure-Unternehmen von Toshiba und SanDisk zur Herstellung von NAND-Flashspeichern geführt werden. Die beiden Unternehmen werden in Kuerze Verhandlungen zum Abschluss eines Kooperationsabkommens für Fab 3 auf dem Yokkaichi-Werksgelände von Toshiba aufnehmen.
Nach der Inbetriebnahme der 300-mm-Fabrik in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2005 wird zunächst mit einer Produktion von 10.000 Wafern pro Monat gerechnet. Dabei wird ein 70-Nanometer-Verfahren zum Einsatz kommen, das zur Zeit gerade in Gemeinschaftsarbeit von Toshiba und SanDisk entwickelt wird. Es wird erwartet, dass die Produktionsmenge von der Mindestanzahl von 10.000 Wafern pro Monat ausgehend durch eine Steigerung der Waferproduktion und den Wechsel zu einem noch fortschrittlicheren 55-nm-Verfahren in den kommenden Jahren steigen wird.
Shigeo Koguchi, Firmenpräsident der Semiconductor Company von Toshiba merkt hierzu an: Der Bedarf an NAND-Flashspeicher-Bausteinen wächst schnell. Dies beruht auf der gesunden Nachfragesituation in der digitalen Unterhaltungselektronik zum Beispiel nach digitalen Fotokameras und Mobiltelefonen mit integrierter Digitalkamera. Wir erwarten, dass sich der Markt im Zeitraum vom Jahr 2003 bis zum Jahr 2006 in seinem Umfang verdoppeln wird. Wir sind überzeugt, dass durch die beschleunigte Fertigstellung des neuen Reinraums eine frühzeitige Erweiterung unserer Kapazitäten ermöglicht wird und wir daher schneller auf die Anforderungen eines schnell wachsenden Marktes reagieren können.
Dr. Eli Harari, Präsident und CEO der SanDisk Corporation, betont: Mit Fab 3 auf Toshibas Yokkaichi-Werksgelände beginnt eine neue Phase unserer exzellenten Partnerschaft mit Toshiba. Wir sind davon überzeugt, dass die technologisch richtungsweisende Fab 3 uns in der zweiten Hälfte dieses Jahrzehnts mit modernsten und wettbewerbsfähigen NAND-Flashspeicher-Wafern in hohen Stückzahlen versorgen wird. Die Märkte für NAND-Flashspeicher sind bereits jetzt recht groß und setzen ihr Wachstum rapide fort. Es ist daher zu erwarten, dass unsere bisherigen Produktionsmittel in Zukunft nicht mehr ausreichen werden. Unsere Flashkarten werden in ständig steigendem Umfang in zahlreichen Geräten der Unterhaltungs- und Haushaltselektronik und Multimedia-Mobiltelefonen eingesetzt. Die zukünftige Produktionskapazität von Fab 3 wird aller Erwartung nach ein bedeutendes Element unserer Strategie zur Bedienung der voraussichtlichen Nachfrage unserer OEM- und Endkunden darstellen.
